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　　ICP光譜儀在不斷發(fā)展，這里主要介紹下其在光源方面的進步。

　　1、高頻發(fā)生器的改進：由于ICP電子密度和激發(fā)溫度隨頻率的增加而減低，而光源的背景強度(Ar的連續(xù)光譜)則與頻率的平方成反比，隨頻率的提高要降低得多。因此，為了提高高頻發(fā)生器的穩(wěn)定性，ICP光譜儀采用具有很高頻率穩(wěn)定性和輸出功率穩(wěn)定性的固態(tài)發(fā)生器，等離子體阻抗可自動調(diào)節(jié)補償，并由計算機控制工作參數(shù)、設(shè)定點火程序，可自動點火。因此，新型的商品儀器均已使用固態(tài)發(fā)生器，結(jié)合對樣品的引入系統(tǒng)而采取恒溫，提高進樣的穩(wěn)定性，加上光學系統(tǒng)的恒溫，熱穩(wěn)定性高，使儀器預熱時間大為縮短，大大提高了ICP光譜儀分析法的分析精度和準確度。

　　2、采用端視技術(shù)以提高靈敏度： 近年來商品ICP光譜儀推出軸向ICP，有較高的靈敏度和較好的檢出限。ICP光譜儀中，ICP矩管通常是垂直放置，從側(cè)面觀察，稱為徑向ICP。端視ICP的檢出限通常要比側(cè)視提高幾倍至一個數(shù)量級。這是由于側(cè)視只觀測到ICP正常分析區(qū)的一部分，信號量較小且背景較高。端視可以觀測ICP光譜儀整個正常分析區(qū)的光發(fā)射信號，增加了可測的信號量，同時光譜背景較低，信背比高。因此，端視的檢出限顯著高于側(cè)視。端視ICP的主要缺點是線性范圍相對較小。而且分析基體復雜樣品時基體效應(yīng)較明顯。這是由于在采用水平矩管端視ICP光譜儀時，等離子矩的尾焰溫度低，產(chǎn)生電子、離子復合，從而可能產(chǎn)生自吸和分子光譜所致。為此通常要采用壓縮空氣“切割”尾焰，或者采用“冷錐技術(shù)”(在ICP尾焰區(qū)放置一個類似ICP-MS的接口錐的金屬錐)，可以有效地消除尾焰的干擾，以提高端視ICP的穩(wěn)定性及減少端視ICP的基體干擾。

　　ICP光譜儀的應(yīng)用領(lǐng)域已得到迅速擴大，在光源方面不斷進步，具有很好的發(fā)展前景。